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盟和德國政府的支持，政府補貼資金的數額尚待確認。 計劃中的晶圓廠采用臺積電28/22納米平面CMOS和16/12納米FinFET工藝技術，預計月產能為4萬片12英寸晶圓，能直接創造約2000個高科技專
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，限制美國相關企業對中國出口。一方面，美國通過“三條紅線”限制中國發展高端芯片制造能力——即凡是16納米或14納米或以下非平面晶體管架構（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片、間距不超過18納米的
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，限制美國相關企業對中國出口。一方面，美國通過“三條紅線”限制中國發展高端芯片制造能力——即凡是16納米或14納米或以下非平面晶體管架構（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片、間距不超過18納米的
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試和封裝環節。成熟制程芯片定義為，28納米及以上的邏輯芯片，半間距大于18納米的DRAM和層數少于128層的NAND閃存芯片。FinFET或GAAFET芯片、使用了3D集成的芯片或者國家安全關鍵芯片不
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成電路制造業領導者，擁有領先的工藝制造能力、產能優勢、服務配套，向全球客戶提供 0.35 微米到 FinFET 不同技術節點的晶圓代工與技術服務。 財新數據劉暢整理
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月7日，美國商務部下屬工業和安全局（BIS）發布多項對華出口管制措施。其中，對芯片制造設備和相關物項劃出三條紅線——16納米或14納米或以下非平面晶體管架構（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片
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上長期采用的FinFET（鰭式場效應晶體管）。臺積電則計劃在2025年量產的2納米工藝中應用GAA技術。 先進制程之外，貢獻臺積電三分之一營收的成熟制程未來也將承壓。前述中國大陸芯片投資人對財新指出
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星的3納米工藝采用了GAA（環繞柵極晶體管）技術，以取代此前在先進制程上長期采用的FinFET（鰭式場效應晶體管）。臺積電則計劃在2025年量產的2納米工藝中應用GAA技術。 2022年11月5日，上
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