發(fā)布時間：2023-06-24

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六個月，一旦在測試中出現(xiàn)問題，需要的時間會拉得更長。 前述北京半導體行業(yè)資深人士向財新介紹，長江存儲早期即采用國產(chǎn)工藝與團隊，因此進行國產(chǎn)設備替代難度相對低一些。相較而言，長鑫的DRAM內(nèi)存進展至20

發(fā)布時間：2023-06-24

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，需要的時間會拉得更長。 前述北京半導體行業(yè)資深人士向財新介紹，長江存儲早期即采用國產(chǎn)工藝與團隊，因此進行國產(chǎn)設備替代難度相對低一些。相較而言，長鑫的DRAM內(nèi)存進展至20納米以下，工藝層面難度非常大

發(fā)布時間：2022-09-30

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%。“我們將降低一些DRAM（內(nèi)存）和NAND（閃存）產(chǎn)品的產(chǎn)能，以盡快的調(diào)整庫存狀況。”Sanjay Mehrotra說。 財報顯示，當季美光庫存增長至66.63億美元，創(chuàng)歷史新高，存貨占總資產(chǎn)比例超過

發(fā)布時間：2021-06-04

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新廠商。6月3日，中國存儲器設計廠商兆易創(chuàng)新（603986.SH）宣布，其首款DRAM內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，實現(xiàn)從設計、流片到封測、驗證的全國產(chǎn)化。兆易創(chuàng)新是國內(nèi)第二家在DRAM內(nèi)存芯片領域?qū)崿F(xiàn)全流程實現(xiàn)

發(fā)布時間：2021-06-03

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【財新網(wǎng)】（記者 何書靜）中國國產(chǎn)內(nèi)存芯片版圖再添新廠商。6月3日，中國存儲器設計廠商兆易創(chuàng)新（603986.SH）宣布，其首款DRAM內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，實現(xiàn)從設計、流片到封測、驗證的全國產(chǎn)化。 兆

發(fā)布時間：2020-05-25

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其限制。 該報稱，由于這兩家韓國公司供應全球超過70%的DRAM內(nèi)存芯片，美國將它們納入行動范圍將威脅華為的生存。報道援引一位未具名行業(yè)官員的話說，華為正在迅速建立存儲芯片庫存，以備不時之需。（本文系

發(fā)布時間：2019-01-10

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助推力。而前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《2018-2023年中國芯片行業(yè)市場需求與投資規(guī)劃分析報告》分析認為，三星半導體業(yè)務銷售額猛增還源于DRAM內(nèi)存與NAND閃存價格暴漲。 可以說，制霸半導體市場的三星電子，有

發(fā)布時間：2018-11-07

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DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)、生產(chǎn)的福建晉華集團出口產(chǎn)品、技術及軟件既是例證。 最后，中期選舉可能推動特朗普在中美經(jīng)貿(mào)關系上有所緩和，但中美關系難以出現(xiàn)根本性扭轉(zhuǎn)，我們?nèi)孕枳龊弥忻缿?zhàn)略競爭的長期準備。2017年